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            上海伯东真空产品事业部搬迁通知

            霍尔离子源 eH 400
            阅读数: 6773

            霍尔离子源 eH 400

            美国 KRI 霍尔离子源 eH 400
            上海伯东代理美国原装进口 KRI 霍尔离子源 eH 400 低成本设计提供高离子电流, 霍尔离子源 eH 400 尺寸和离子能量特别适合中小型的真空系统, 可以控制较低的离子能量, 通常应用于离子辅助镀膜, 预清洗和低能量离子蚀刻.
            尺寸: 直径= 3.7“  高= 3”
            放电电压 / 电流: 50-300eV / 5a
            操作气体: Ar, Xe, Kr, O2, N2, 有机前体

            KRI 霍尔离子源 eH 400 特性
            可拆卸阳极组件 - 易于维护; 维护时, 最大限度地减少?;奔? 即插即用备用阳极
            宽波束高放电电流 - 均匀的蚀刻率; 刻蚀效率高; 高离子辅助镀膜 IAD 效率
            多用途 - 适用于 Load lock / 超高真空系统
            高效的等离子转换和稳定的功率控制

            KRI 霍尔离子源 eH 400 技术参数:

            型号

            eH 400 / eH 400 LEHO

            供电

            DC magnetic confinement

              - 电压

            40-300 V VDC

             - 离子源直径

            ~ 4 cm

             - 阳极结构

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            电源控制

            eHx-3005A

            配置

            -

              - 阴极中和器

            Filament, Sidewinder Filament or Hollow Cathode

              - 离子束发散角度

            > 45° (hwhm)

              - 阳极

            标准或 Grooved

              - 水冷

            前板水冷

              - 底座

            移动或快接法兰

              - 高度

            3.0'

              - 直径

            3.7'

              - 加工材料

            金属
            电介质
            半导体

              - 工艺气体

            Ar, Xe, Kr, O2, N2, Organic Precursors

              - 安装距离

            6-30”

              - 自动控制

            控制4种气体

            * 可选: 可调角度的支架; Sidewinder

            KRI 霍尔离子源 eH 400 应用领域:
            离子辅助镀膜 IAD
            预清洁 Load lock preclean
            In-situ preclean
            Low-energy etching
            III-V Semiconductors
            • Polymer Substrates

            1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源 Gridded 和霍尔离子源 Gridless. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项专利. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射沉积 IBSD 领域, 上海伯东是美国考夫曼离子源 (离子枪) 中国总代理.

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