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            上海伯东真空产品事业部搬迁通知

            射频离子源 RFICP 100
            阅读数: 3048

            射频离子源 RFICP 100

            KRI 射频离子源 RFICP 100
            上海伯东代理美国原装进口 KRI 考夫曼型离子源 RFICP 100 紧凑设计, 适用于离子溅镀和离子蚀刻. 小尺寸设计但是可以输出 >400 mA 离子流. 考夫曼型离子源 RFICP 100 源直径19cm 安装在10”CF 法兰, 在离子溅镀时, 离子源配有离子光学元件, 可以很好的控制离子束去溅射靶材, 实现完美的薄膜特性. 在离子刻蚀工艺中, 离子源与离子光学配合, 蚀刻更均匀. 标准配置下 RFICP 100 离子能量范围 100 至 1200ev, 离子电流可以超过 400 mA.

            KRI 射频离子源 RFICP 100 技术参数

            型号

            RFICP 100

            供电

            RF 射频感应耦合

             - 阴极灯丝

            -

             - 射频功率

            1 KW

            电子束

            OptiBeam™

             - 栅极

            专用

             -栅极直径

            10 或 12 cm

            中和器

            LFN 2000

            电源控制

            RFICP 1510-2-10-LFNA

            配置

            -

             - 阴极中和器

            LFN2000 or MHC1000 or RFN

             - 安装

            移动或快速法兰

             - 高度

            9.25'

             - 直径

            7.52'

             - 离子束

            聚焦
            平行
            散设

             -加工材料

            金属
            电介质
            半导体

             -工艺气体

            惰性
            活性
            混合

             -安装距离

            6-18”

             - 自动控制

            控制4种气体

            * 可选: 灯丝中和器; 可变长度的增量

            KRI 考夫曼离子源 RFICP 100 应用领域
            预清洗
            表面改性
            辅助镀膜(光学镀膜) IBAD,
            溅镀和蒸发镀膜 PC
            离子溅射沉积和多层结构 IBSD
            离子蚀刻 IBE

            客户案例: 超高真空离子刻蚀机 IBE, 真空度 5E-10 torr, 系统配置如下
            美国 KRI 射频离子源 RFICP 100
            美国 HVA 真空闸阀
            德国 Pfeiffer 分子泵 Hipace 2300
            射频离子源

             

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