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            上海伯东真空产品事业部搬迁通知

            射频离子源 RFICP 40
            阅读数: 3000

            射频离子源 RFICP 40

            KRI 考夫曼离子源 RFICP 40
            上海伯东代理美国原装进口 KRI 考夫曼型离子源 RFICP 40 : 目前 KRI 射频离子源 RFICP 系列尺寸最小, 低成本高效离子源. 适用于集成在小型的真空腔体内. 离子源 RFICP 40 设计采用创新的栅极技术用于研发和开发应用. 离子源 RFICP 40 无需电离灯丝设计, 适用于通气气体是活性气体时的工业应用.标准配置下 RFICP 40 离子能量范围 100 至 1200ev, 离子电流可以超过 120 mA.

            离子源 RFICP 40 特性:
            1. 离子源放电腔 Discharge Chamber, 无需电离灯丝, 通过射频技术提供高密度离子, 工艺时间更长.
            2. 离子源结构??榛杓? 使用更简单; 基座可调节, 有效优化蚀刻率和均匀性.
            3. 提供聚焦, 发散, 平行的离子束
            4. 离子源自动调节技术保障栅极的使用寿命和可重复的工艺运行
            5. 栅极材质钼和石墨,坚固耐用
            6. 离子源中和器 Neutralizer, 测量和控制电子发射,确保电荷中性

            KRI 考夫曼离子源 RFICP 40 技术参数:

            型号

            RFICP 40 / RFICP 40FN

            供电

            RF 射频感应耦合

             - 阴极灯丝

            -

             - 射频功率

            0.6 KW

            电子束

            OptiBeam™

             - 栅极

            专用

             -栅极直径

            4 cm

            中和器

            LFN 2000

            电源控制

            RFICP 1510-2-06-LFNA

            配置

            -

             - 阴极中和器

            LFN1000 or MHC1000 or RFN

             - 安装

            移动或快速法兰

             - 高度

            5.0'

             - 直径

            5.3'

             - 离子束

            聚焦
            平行
            散设

             -加工材料

            金属
            电介质
            半导体

             -工艺气体

            惰性
            活性
            混合

             -安装距离

            6-18”

             - 自动控制

            控制4种气体

            * 可选: 灯丝中和器; 可变长度的增量

            KRI 考夫曼离子源 RFICP 40 应用领域:
            预清洗
            表面改性
            辅助镀膜(光学镀膜)IBAD,
            溅镀和蒸发镀膜 PC
            离子溅射沉积和多层结构 IBSD
            离子蚀刻 IBE

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