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            上海伯东真空产品事业部搬迁通知

            KRI 考夫曼离子源 KDC 75
            阅读数: 2722

            KRI 考夫曼离子源 KDC 75

            KRI 考夫曼离子源 KDC 75
            上海伯东代理美国原装进口 KRI 考夫曼离子源 KDC 75:紧凑栅极离子源,离子束直径 14 cm ,可安装在 8“CF法兰. 适用于中小型腔内, 考夫曼离子源 KDC 75 包含2个阴极灯丝, 其中一个作为备用,KDC 75 提供紧密聚焦的电子束特别适合溅射镀膜. 标准配置下离子能量范围 100 至 1200ev, 离子电流可以超过 250 mA.
             

            KRI 考夫曼离子源 KDC 75 技术参数

            型号

            KDC 75 / KDC 75L(低电流输出)

            供电

            DC magnetic confinement

             - 阴极灯丝

            2

             - 阳极电压

            0-100V DC

            电子束

            OptiBeam™

             - 栅极

            专用, 自对准

             -栅极直径

            7.5 cm

            中和器

            灯丝

            电源控制

            KSC 1212 或 KSC 1202

            配置

            -

             - 阴极中和器

            Filament, Sidewinder Filament  或LFN 2000

             - 安装

            移动或快速法兰

             - 高度

            7.9'

             - 直径

            5.5'

             - 离子束

            聚焦
            平行
            散设

             -加工材料

            金属
            电介质
            半导体

             -工艺气体

            惰性
            活性
            混合

             -安装距离

            6-24”

             - 自动控制

            控制4种气体

            * 可选: 一个阴极灯丝; 可调角度的支架

            KRI 考夫曼离子源 KDC 75 应用领域
            溅镀和蒸发镀膜 PC
            辅助镀膜(光学镀膜)IBAD
            表面改性, 激活 SM
            离子溅射沉积和多层结构 IBSD
            离子蚀刻 IBE


            客户案例: 超高真空离子刻蚀机 IBE, 真空度 5E-10 torr, 系统配置
            美国 KRI 考夫曼离子源 KDC 75
            考夫曼离子源 KDC 75

             

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